目前一些實(shí)驗(yàn)室或者測(cè)試機(jī)構(gòu)，經(jīng)常用晶硅太陽(yáng)模擬器作為標(biāo)準(zhǔn)件來(lái)測(cè)試非晶硅薄膜。那么，如何正確比較不同材料，工藝的太陽(yáng)模擬器的好壞或者適用性呢？在此，大致描述一下大面積太陽(yáng)模擬器測(cè)試非晶硅薄膜的注意點(diǎn)。

　　

　　太陽(yáng)模擬器電性能測(cè)試方法從原則到具體程序都和單晶硅、多晶硅太陽(yáng)模擬器電性能測(cè)試相同，但必須注意以下幾點(diǎn)區(qū)別，否則可能導(dǎo)致嚴(yán)重的測(cè)量誤差。

　　

　　一、校準(zhǔn)輻照度：

　　

　　應(yīng)選用恰當(dāng)?shù)摹?zhuān)用于非晶硅太陽(yáng)模擬器測(cè)試的非晶硅標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)模擬器來(lái)校準(zhǔn)輻照度。如果采用單晶硅或者多晶硅太陽(yáng)模擬器作為標(biāo)準(zhǔn)來(lái)校準(zhǔn)輻照度，將會(huì)得到毫無(wú)意義的測(cè)試結(jié)果。

　　

　　當(dāng)然，按照光譜失配的理論，如果所選的用的測(cè)試光源十分理想。那么，即使用大面積太陽(yáng)模擬器校準(zhǔn)輻照度也能獲得正確的結(jié)果，當(dāng)然，這個(gè)在一般生產(chǎn)或者實(shí)驗(yàn)室是很難做到的。

　　

　　二、光源：

　　

　　用于非晶硅電性能測(cè)試的太陽(yáng)模擬器的光源應(yīng)盡可能選用在300納米到800納米波長(zhǎng)范圍內(nèi)，光譜特性非常接近AM1.5太陽(yáng)光譜。

　　

　　三、光譜響應(yīng)：

　　

　　太陽(yáng)模擬器的光譜響應(yīng)就是當(dāng)某一波長(zhǎng)的光照射在電池表面上時(shí)，每一光子平均所能收集到的載流子數(shù)。由于用不同材料和工藝制造的太陽(yáng)模擬器的光譜響應(yīng)差異很大，同時(shí)考慮電池的光譜響應(yīng)和光源的光譜分布這兩個(gè)因素就能夠得到更好的測(cè)量結(jié)果。

　　

　　更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，多結(jié)薄膜電池中各結(jié)的電流匹配也需要對(duì)每結(jié)的光譜響應(yīng)做出精密的測(cè)量。大面積太陽(yáng)模擬器的光譜響應(yīng)特性與所加偏置光及偏置電壓有關(guān)，在非標(biāo)準(zhǔn)條件下進(jìn)行測(cè)試和換算時(shí)應(yīng)注意相關(guān)條件。